Приветствую Вас Гость | Группа "Гости" | RSS

Количество дней с момента регистрации: . 


Пятница, 22.11.2019, 08:26
Главная » 2013 » Сентябрь » 2 » Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска микросхем памяти DDR4 емкостью 4 Гбит
20:10
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска микросхем памяти DDR4 емкостью 4 Гбит

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска микросхем памяти DDR4 емкостью 4 Гбит. Чипы производятся на базе 20-нм технологической нормы.
DDR (Double-Data-Rate) - память с удвоенной скоростью передачи данных, используемая в вычислительной технике в качестве ОЗУ. В Samsung считают, что память DDR четвертого поколения найдет широкое применение, прежде всего, в серверной индустрии - в строительстве дата-центров нового поколения.
На основе новых чипов компания разработала модули памяти SDRAM емкостью 16 и 32 ГБ, что в 2-4 раза превышает емкость распространенных на сегодняшний день модулей емкостью 8 ГБ, производимых на базе 30-нм техпроцесса.
Использование памяти DDR4 позволит повысить производительность дата-центров и существенно сократить совокупные затраты на электроэнергию, утверждают в Samsung. По сравнению с DDR3 новая память, при условии что обе изготовлены на базе 20-нм нормы, обладает более чем на 30% меньшим энергопотреблением. При этом скорость передачи данных DDR4 составляет 2667 Мбит/с, что в 1,25 раза превышает показатель памяти предыдущего поколения.
Запуск новой памяти в массовое производство - очередной шаг Samsung по расширению и развитию своего портфеля. В 2008 г. компания представила микросхемы памяти DDR3 емкостью 2 Гбит, выполненные по 50-нм технологической норме, а ранее в 2013 г. приступила к выпуску модулей DDR3 емкостью 16 ГБ.
Просмотров: 492 | Добавил: Constantin | Рейтинг: 5.0/1
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]